Análise do processo de difusão/queima de pastas metálicas e da passivação com SiO2 em Células Solares Bifaciais finas com região P+ Localizada

Resumo

Neste artigo apresentam-se os resultados da análise de processos envolvidos na fabricação de células solares bifaciais finas com região de campo retrodifusor de alumínio localizado. Foram usadas lâminas de silício monocristalino Czochralski, tipo p, de espessura reduzida de aproximadamente 150 μm. A região p+ foi formada por pasta de Al depositada por serigrafia e pela difusão de Al em forno de esteira. Foi otimizado o processo de difusão/queima são das pastas de Al e Ag/Al bem como foram analisadas diferentes formas de passivar as superfícies com SiO 2 . Observou-se que a melhor temperatura para a queima/difusão é de 840 oC para células sem óxido de passivação e de 850oC para aquelas com uma camada de SiO 2 com espessura da ordem de 10 nm. A passivação de ambas as faces por um óxido crescido termicamente melhorou o desempenho das células solares, mas constatou-se que o comprimento de difusão dos portadores minoritários nas células é menor que a espessura da lâmina, o que explica a baixa eficiência obtida quando a célula foi iluminada pela face posterior com região de campo retrodifusor de Al localizado.