Influência da espessura do filme antirreflexo de TiO2 nos parâmetros elétricos de células solares com base N

Resumo

A redução da reflexão na superfície de células solares de silício é realizada com a deposição de filmes finos. O filme antirreflexo (AR) de TiO 2 pode ser mais adequado para células solares com emissor de boro. Porém, sabe-se que as características do filme são alteradas durante o processo de queima das pastas de metalização. Consequentemente, a variação do filme AR influencia na eficiência do dispositivo. O objetivo deste trabalho é analisar a variação do filme antirreflexo de TiO 2 e a influência nas características elétricas das células com emissor de boro. Para fabricar as células solares, foram depositados filmes AR de TiO2 de diferentes espessuras e variou-se a temperatura do processo de queima das pastas de metalização para encontrar a melhor temperatura para cada espessura do filme AR. Confirmou-se a variação da espessura, da refletância e do comprimento de onda que corresponde à mínima refletância no processo de queima das pastas metálicas, para o filme AR de TiO2, depositado pela técnica de evaporação em alto vácuo com canhão de elétrons. Para espessuras depositadas do filme de 62 nm a 103 nm, a refletância média final variou de 3 % a 4 %. A melhor eficiência média de 13,6 % foi obtida para a espessura do filme de 97 nm após o processo de queima, com refletância média de 3,3 %. O fator de forma praticamente não foi afetado pelo aumento da espessura do filme AR, porém a tensão de circuito aberto e a densidade de corrente de curto-circuito apresentaram uma tendência de crescimento com o aumento da espessura do filme AR até a espessura de 103 nm.