Análise da implementação de junção flutuante frontal em células solares P+NN+ industriais

Natália Feijó Lopes, Adriano Moehlecke, Izete Zanesco

Resumo


Uma alternativa para a passivação de superfícies de tipo p + é a implementação de uma junção flutuante, tipo n, para reduzir a recombinação em superfície. O objetivo desse trabalho foi implantar, por um método simplificado, uma região tipo n sobre a superfície frontal de células solares p + nn + industriais, formando a estrutura (n)p + nn + . Para produzir experimentalmente a região n flutuante, usaram-se líquidos dopantes depositados por spin-on e realizou-se o processo térmico de difusão em forno de esteira. A malha metálica frontal de Ag/Al foi depositada por serigrafia e a mesma deve perfurar a região n para estabelecer o contato frontal da célula (n)p + nn + , formando-se uma região n flutuante entre as trilhas metálicas. Foram variadas a velocidade de esteira e a temperatura, durante o processo de difusão de fósforo, a fim de inverter superficialmente a região p + . Observou-se que a inversão da região p + para n ocorreu para a temperatura (T D ) de 900 oC e velocidade de esteira (V E ) de 50 cm/min, 100 cm/min e 133 cm/min. A célula solar mais eficiente com região n sobre p + foi processada com T D = 900 °C e V E = 133 cm/min, mas a eficiência ficou abaixo da obtida com a estrutura padrão p + nn + porque a célula apresentou baixa resistência em paralelo devido a correntes de fuga na região n depositada sobre o emissor p +.


Palavras-chave


Células solares de silício tipo n, Junção flutuante, Passivação de superfícies.

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